Locatie dispozitivInternFactor formaM.2Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashAccesorii incluseDocumentațieMaximum Random Read Rate1000000 IOPSMaximum Random Write Rate720000 IOPSMaximum Sequential
Locatie dispozitivInternFactor formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4Tehnologia pentru memorie3D NANDAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareCuloare externăNegruMaximum Random Read Rate630000 IOPSMaximum Random Write
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x30mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Ra
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariFCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCIFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Ra
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 5.0 x 4Tehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Seq