Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x30mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4CertificariRoHSTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate800000 IOPSMaximum
Tranzacțiile electronice sunt 100% sigure. Folosim protocolul HTTPS
Livrăm la cerere prin orice curier rapid sau de la sediu
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare128 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluse
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x30mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Ra
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare4 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsSSD ControllerSamsung MKXTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyMulti-Level
Locatie dispozitivInternFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMeTehnologia pentru memorieNAND FlashAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rate480000 IOPSMaximum Random Write Rate550000 IOPSMaximum