Locația dispozitivuluiInternFactorul de formă2.5" 7mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariCE, FCC, BSMI, C-Tick, VCCI, KCC RRL, RoHS, China RoHS, WEEE, TUV, UL, IC, Moro
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare250 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariFCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCIFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum
Locatie dispozitivPlug-in ModuleFactor formaM.2 (2280)Capacitate de stocare960 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Re
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x42mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3CertificariCE/UKCA/FCC/BSMI/KC/RCMTehnologia pentru memorie3D NANDMaximum Random Read Rate102000 IOPSMaximum Random Write Rate2750
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate75000 IOPSMaximum Rando
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariCE, FCC, BSMITehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level