Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariFCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCIFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Ra
Tranzacțiile electronice sunt 100% sigure. Folosim protocolul HTTPS
Livrăm la cerere prin orice curier rapid sau de la sediu
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x30mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Ra
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariCE, FCC, BSMITehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate250000 IOPSMaximum Random Write Rate220000 IOPSMaximum Sequential Read Rate
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache512 MBSSD ControllerSamsung MJXFlash Memory
Storage Temperature -40°C to +85°C Endurance 450TBW Memory Type PCIe Gen 4.0 x4 SSD Max Sequential Read CDM Up to 5,000MB/s SSD Max Sequential Write CDM Up to 4,400MB/s Power Consumption Active 4.3W Average SSD Smart Support Yes NAND Technology 3D