Seif Yale Standard Birou YSV/390; Alcatuit din otel; Tastatura digitala programabila si usor de operat; Prevazut cu orificii pentru fixare si bolturi de prindere incluse; Ideal pentru pastrarea documentelor importante sau a cheilor intr-un loc sigur si la
ELECTROMAGNET FAIL LOCKED 12vc; blocat cand nu este alimentat; rezistenta mecanica 3500N(350kg);Material corp electromagnet: zinc – turnat sub presiune;Material opritor: zinc – turnat sub presiune, alama; temperatura functionare:-15 °C to +40 °C
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare256 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate240000 IOPSMaximum Random Wr
Factor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum Random Write Rate87000 IOPSMaximum Sequential
Locatia dispozitivuluiPlug-in ModuleFactor de forma2.5"Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum Random Writ
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Rata de transfer extern a datelor sustinuta32 GT/secTehnologia pentru memorieBiCS FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaxi
Seif Yale Standard Birou YSV/390; Alcatuit din otel; Tastatura digitala programabila si usor de operat; Prevazut cu orificii pentru fixare si bolturi de prindere incluse; Ideal pentru pastrarea documentelor importante sau a cheilor intr-un loc sigur si la
ELECTROMAGNET FAIL LOCKED 12vc; blocat cand nu este alimentat; rezistenta mecanica 3500N(350kg);Material corp electromagnet: zinc – turnat sub presiune;Material opritor: zinc – turnat sub presiune, alama; temperatura functionare:-15 °C to +40 °C
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare256 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate240000 IOPSMaximum Random Wr
Factor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum Random Write Rate87000 IOPSMaximum Sequential
Locatia dispozitivuluiPlug-in ModuleFactor de forma2.5"Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum Random Writ
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Rata de transfer extern a datelor sustinuta32 GT/secTehnologia pentru memorieBiCS FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaxi