Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe 4.0 x4 (NVMe 1.3)Tehnologia pentru memorieDDR4 SDRAMFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate750000 IOPSMaximum Random Wr
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe 4.0 x4 (NVMe 1.3)Tehnologia pentru memorieDDR4 SDRAMFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate750000 IOPSMaximum Random Wr