Filtrare dupa
Categorii
Categorii
Disponibilitate
Disponibilitate
Marca
Marca
Greutate
Greutate
0,01 kg - 14 kg
Pret
Pret
121,00 lei - 1.508,00 lei
Blue banner
Subcategorii
Sunt 23 produse.
Referinta: sinus PRO-1000W
Marca: VOLT
UPS centrale termice VOLT sinus PRO-1000W 1000VA 700W. Putere totala: 1000VA. Capacitate nominala: 700W. Transformator: toroidal C.R.G.O. Functioneaza cu o baterie de 12V (bateria nu este inclusa).
Referinta: sinus PRO-2000W
Marca: VOLT
UPS centrale termice VOLT sinus PRO-2000W 2000VA 1400W. Tensiune baterie 24V (2 x 12V). Putere totala: 2000VA. Capacitate nominala: 1400W. Transformator: toroidal C.R.G.O. Functioneaza cu 2 baterii de 12V (bateriile nu sunt incluse).
Referinta: sinus PRO-500W
Marca: VOLT
Putere totala: 500VA. Capacitate nominala: 300W. Transformator: toroidal C.R.G.O. Functioneaza cu o baterie de 12V (bateria nu este inclusa).
Referinta: sinus PRO-1000E
Marca: VOLT
UPS centrale termice VOLT sinus PRO-1000E 1000VA 700W. Putere totala: 1000VA. Capacitate nominala: 700W. Transformator: toroidal C.R.G.O. Curent incarcare selectabil: 5A / 10A. Functioneaza cu o baterie de 12V (bateria nu este inclusa).
Referinta: sinus PRO-1500E
Marca: VOLT
UPS centrale termice VOLT sinus PRO-1500E 1500VA 1050W. Putere totala: 1500VA. Capacitate nominala: 1050W. Transformator: toroidal C.R.G.O. Functioneaza cu o baterie de 12V (bateria nu este inclusa).
Referinta: sinus PRO-800E
Marca: VOLT
UPS centrala termica VOLT sinus PRO-800E 800VA 500W. Putere totala: 800VA. Capacitate nominala: 500W. Transformator: toroidal C.R.G.O. Functioneaza cu o baterie de 12V (bateria nu este inclusa).
Referinta: sinus PRO-800W
Marca: VOLT
Putere totala: 800VA. Capacitate nominala: 500W. Transformator: toroidal C.R.G.O. Functioneaza cu o baterie de 12V (bateria nu este inclusa).
Referinta: SSDPEKKW020T8X1 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2.05 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate340000 IOPSMaximum Random Write Rate275000 IOPSMaximum Sequent
Referinta: SSDPEKKW256G801 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare256 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate205000 IOPSMaximum Random Write Rate265000 IOPSMaximum Sequenti
Referinta: SSDPEKKW128G801 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare128 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate105000 IOPSMaximum Random Write Rate160000 IOPSMaximum Sequenti
Referinta: SSDPEKKW512G801 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate340000 IOPSMaximum Random Write Rate275000 IOPSMaximum Sequenti
Referinta: SSDPEKNW020T8X1 A
Marca: INTEL
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write Rate220
Referinta: SSDPEKNW010T8X1 A
Marca: INTEL
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write Rate220
Referinta: SSDSC2KW512G8X1 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate75000 IOPSMaximum Rando
Referinta: SSDSC2KW128G8X1 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare128 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate70000 IOPSMaximum Rando
Referinta: SSDPEKNW010T9X1 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCI Express 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate160000 IOPSMaximum Random Write Ra
