Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCI Express 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate160000 IOPSMaximum Random Write Ra
Tranzacțiile electronice sunt 100% sigure. Folosim protocolul HTTPS
Livrăm la cerere prin orice curier rapid sau de la sediu
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare250 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache512 MBSSD ControllerSamsung MJXFlash Memory
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4CertificariCE/UKCA/FCC/BSMI/KC/RCMTehnologia pentru memorie3D NANDSSD Cooling MethodHeatsinkCuloare externăNegruMaximum Random Rea
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5"Capacitate de stocare250 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate80000 IOPSMaximum Random Write Rate78000 I
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x30mmCapacitate de stocare2.48 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4CertificariRoHSTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate480000 IOPSMaxi
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formă2.5" 7mmCapacitate de stocare500 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariCE, FCC, BSMI, C-Tick, VCCI, KCC RRL, RoHS, China RoHS, WEEE, TUV, UL, IC, Mo