Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4Tehnologia pentru memorie3D NANDAccesorii incluseDocumentațieSSD Cooling MethodHeatsinkMaximum Random Read Rate1000000 IOPSMaximum
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4Tehnologia pentru memorie3D NANDAccesorii incluseDocumentațieSSD Cooling MethodHeatsinkMaximum Random Read Rate1000000 IOPSMaximum
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Rata de transfer extern a datelor sustinuta8 GbpsCertificariFCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, C-TickTehnologia pentru memorieNAND FlashCu
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare250 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluse
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4Rata de transfer extern a datelor sustinuta8 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Re
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formă2.5" 7mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache1 GBSSD ControllerSamsung MKXTehnologia pe
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare1.02 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate75000 IOPSMaximum Rand
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare960 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariRoHSTehnologia pentru memorieNAND FlashAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareCuloare