Kingston 250GB KC2500 M.2 2280 NVMe SSD, up to 3500/1200MB/s, EAN: 740617307146
169,27 L
Bruttopreis
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2Capacitate de stocare250 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate375000 IOPSMaximum Random Write Rate300
Kingston 250GB KC2500 M.2 2280 NVMe SSD, up to 3500/1200MB/s, EAN: 740617307146
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2Capacitate de stocare250 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate375000 IOPSMaximum Random Write Rate300
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare500 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareCuloare
SSD CORSAIR MP600 PRO NH Capacitate 8TB M.2 2280 NVME PCIE GEN4 x4
Viteza de scriere: pana la 6100MB/s Viteza de citire: pana la 7000MB/s
Temperatura de functionare: 0-65°C Temperatura de stocare: -40-85°C
Voltaj: 3.3V +/-5%
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare256 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate240000 IOPSMaximum Random Wr
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache512 MBSSD ControllerSamsung MJXFlash Memory Ce
Locatie dispozitivInternFactor formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4Tehnologia pentru memorie3D NANDAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareCuloare externăNegruMaximum Random Read Rate630000 IOPSMaximum Random Write
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate51000 IOPSMaximum Random Write R
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCI Express 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate160000 IOPSMaximum Random Write Ra
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate75000 IOPSMaximum Rando
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologySingle-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum S