Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare120 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariFCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCIFlash Memory Cell TechnologyMulti-Level CellMaximum S
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare120 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariFCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCIFlash Memory Cell TechnologyMulti-Level CellMaximum S
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Rata de transfer extern a datelor sustinuta8 GbpsCertificariBSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCC
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4CertificariRoHsTehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaxim
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare250 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4Tehnologia pentru memorieNAND FlashAccesorii incluseDocumentațieMaximum Random Read Rate240000 IOPSMaximum Random Write Rate4700
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache4 GBSSD ControllerSamsung MJXFlash Memory Cell
SSD CORSAIR MP600 MINI Capacitate 1TB M.2 2280 NVME PCIE GEN4 x4
Viteza de scriere: pana la 4800MB/s Viteza de citire: pana la 4800MB/s
Temperatura de functionare: 0-65°C Temperatura de stocare: -40-85°C
Voltaj: 3.3V +/-5%
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Sequential Read Rate5000 MB/sMaximum Sequential Write Rate4500 MB/sSolid State Drive F