SAMSUNG 860 EVO 1TB SSD, 2.5” 7mm, SATA 6Gb/s, Read/Write: 550 / 520 MB/s, Random Read/Write IOPS 98K/90K
137,16 €
Bruttopreis
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache1 GBSSD ControllerSamsung MJXFlash Memory Cell
SAMSUNG 860 EVO 1TB SSD, 2.5” 7mm, SATA 6Gb/s, Read/Write: 550 / 520 MB/s, Random Read/Write IOPS 98K/90K
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache1 GBSSD ControllerSamsung MJXFlash Memory Cell
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5"Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Sequential Read Rate
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
SSD CORSAIR MP600 GS Capacitate 2TB M.2 2280 NVME PCIE GEN4 x4
Viteza de scriere: pana la 4500MB/s Viteza de citire: pana la 4800MB/s
Temperatura de functionare: 0-65°C Temperatura de stocare: -40-85°C
Voltaj: 3.3V +/-5%
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariRoHSTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellCulo
SSD CORSAIR MP700 PRO Capacitate 2TB M.2 2280 NVME PCIE GEN5 x4
Viteza de scriere: pana la 11800MB/s Viteza de citire: pana la 12400MB/s
Temperatura de functionare: 0-70°C Temperatura de stocare: -40-85°C
Voltaj: 3.3V +/-5%
Locatie dispozitivPlug-in ModuleFactor formaM.2 (2280)Capacitate de stocare480 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Re