SAMSUNG 860 EVO 2TB SSD, 2.5” 7mm, SATA 6Gb/s, Read/Write: 550 / 520 MB/s, Random Read/Write IOPS 98K/90K
1.602,84 lei
cu TVA
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache4 GBSSD ControllerSamsung MJXFlash Memory Cell
SAMSUNG 860 EVO 2TB SSD, 2.5” 7mm, SATA 6Gb/s, Read/Write: 550 / 520 MB/s, Random Read/Write IOPS 98K/90K
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache4 GBSSD ControllerSamsung MJXFlash Memory Cell
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare480 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Sequential Rea
Locatie dispozitivInternFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate51000 IOPSMaximum Random Write Rate38000
Locatie dispozitivInternFactor formaM.2 (2280)Capacitate de stocare480 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariFCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, Morocco, RCM, UKCATehnologia pentru memorieNAND FlashFl
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare480 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii in
SSD CORSAIR MP700 PRO Capacitate 1TB M.2 2280 NVME PCIE GEN5 x4
Viteza de scriere: pana la 9600MB/s Viteza de citire: pana la 11700MB/s
Temperatura de functionare: 0-70°C Temperatura de stocare: -40-85°C
Voltaj: 3.3V +/-5%
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x42mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3CertificariCE/UKCA/FCC/BSMI/KC/RCMTehnologia pentru memorie3D NANDMaximum Random Read Rate102000 IOPSMaximum Random Write Rate2750