Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare250 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate150000 IOPSMaximum Random Write Rate180000 IOPSMaximum Sequential Read Ra
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare250 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate150000 IOPSMaximum Random Write Rate180000 IOPSMaximum Sequential Read Ra
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formă2.5" 7mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashCuloare externăNegruMaximum Random Read Rate95000 IOPSM
Locatie dispozitivPlug-in ModuleFactor formaM.2 (2280)Capacitate de stocare240 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Re
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formă2.5" 7mmCapacitate de stocare4 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashCuloare externăBlueMaximum Random Read Rate87000 IOPSMa
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe 4.0 x4 (NVMe 1.3)Tehnologia pentru memorieDDR4 SDRAMFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate750000 IOPSMaximum Random Wr
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x30mmCapacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3CertificariCE/UKCA/FCC/BSMI/KC/RCMTehnologia pentru memorie3D NANDMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum Random Write Rate220
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare120 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4CertificariRoHsTehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaxim
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare250 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4CertificariRoHsTehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMax