Referinta: R200C-2
Marca: HONEYWELL RESIDEO
STAND ALONE CO DETECTOR E
STAND ALONE CO DETECTOR E
Filtrare dupa
Categorii
Categorii
Disponibilitate
Disponibilitate
Marca
Marca
Greutate
Greutate
0 kg - 0,1 kg
Pret
Pret
12,00 € - 311,00 €
Blue banner
Subcategorii
Sunt 21 produse.
Referinta: R200C-2
Marca: HONEYWELL RESIDEO
STAND ALONE CO DETECTOR E
Referinta: R200S-2
Marca: HONEYWELL RESIDEO
Detector de fum cu baterie, HONEYWELL R200S-2;Memorie alarmă,Durată de serviciu / garanţie de 10 ani; Autotestare automată; Starea de eroare oprită pentru 9 ore;Notifi care sonoră:dispozitiv acustic cu 85 dB - 3 m; Clasă de protecţie:IP20; Tip de baterie:
Referinta: DC515EG
Marca: HONEYWELL RESIDEO
Sonerie de usa portabila Wireless Honeywell DC515EG; raza de actiune 150 de metri; volum maxim 84 dB; 6 melodii; avertizare vizuala cu led in 7 culori; alimentare sonerie 3 x LR6(AA) (nu sunt incluse); suporti de prindere incluse, culoare gri;
Referinta: SSDPEKKW512G801 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate340000 IOPSMaximum Random Write Rate275000 IOPSMaximum Sequenti
Referinta: SSDPEKKW256G801 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare256 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate205000 IOPSMaximum Random Write Rate265000 IOPSMaximum Sequenti
Referinta: SSDPEKKW020T8X1 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2.05 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate340000 IOPSMaximum Random Write Rate275000 IOPSMaximum Sequent
Referinta: SSDPEKKW128G801 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare128 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate105000 IOPSMaximum Random Write Rate160000 IOPSMaximum Sequenti
Referinta: SSDPEKKW010T8X1 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1.02 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate340000 IOPSMaximum Random Write Rate275000 IOPSMaximum Sequent
Referinta: SSDPEKNU512GZX1 A
Marca: INTEL
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read R
Referinta: SSDPEKNU020TZX1 A
Marca: INTEL
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
Referinta: SSDPEKNU010TZX1 A
Marca: INTEL
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
Referinta: SSDPEKNW010T9X1 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCI Express 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate160000 IOPSMaximum Random Write Ra
Referinta: SSDPEKNW512G8X1 A
Marca: INTEL
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum Random Write Rate22
Referinta: SSDPEKNW020T8X1 A
Marca: INTEL
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write Rate220
Referinta: SSDPEKNW020T801 A
Marca: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Referinta: SSDPEKNW010T8X1 A
Marca: INTEL
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write Rate220