Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe 4.0 x4 (NVMe 1.3)Tehnologia pentru memorieDDR4 SDRAMFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate750000 IOPSMaximum Random Wr
ELECTROMAGNET FAIL LOCKED 12vc; blocat cand nu este alimentat; rezistenta mecanica 3500N(350kg);Material corp electromagnet: zinc – turnat sub presiune;Material opritor: zinc – turnat sub presiune, alama; temperatura functionare:-15 °C to +40 °C
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe 4.0 x4 (NVMe 1.3)Tehnologia pentru memorieDDR4 SDRAMFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate750000 IOPSMaximum Random Wr
ELECTROMAGNET FAIL LOCKED 12vc; blocat cand nu este alimentat; rezistenta mecanica 3500N(350kg);Material corp electromagnet: zinc – turnat sub presiune;Material opritor: zinc – turnat sub presiune, alama; temperatura functionare:-15 °C to +40 °C