Referinta: FC12-4.5
Marca: Caranda
Acumulator VRLA Caranda 12V 4.5A
Acumulator VRLA Caranda 12V 4.5A
Filtrare dupa
Categorii
Categorii
Disponibilitate
Disponibilitate
Marca
Marca
Greutate
Greutate
0 kg - 60 kg
Pret
Pret
60,00 lei - 40.047,00 lei
Blue banner
Subcategorii
Sunt 187 produse.
Referinta: FC12-4.5
Marca: Caranda
Acumulator VRLA Caranda 12V 4.5A
Referinta: FC12-12
Marca: Caranda
Acumulator VRLA Caranda 12V 12A
Referinta: FCG12-100AT
Marca: Caranda
Acumulator Gel VRLA Caranda 12V 100A
Referinta: FCG12-200AT
Marca: Caranda
Acumulator Gel VRLA Caranda 12V 200A
Referinta: MZ-V7S250BW A
Marca: SAMSUNG
Factor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare250 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3SSD ControllerSamsung PhoenixTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyMulti-Level CellCuloare externăNegruMaximum Random Read Rate17000 IOPSMaximum
Referinta: MZ-V7S500BW A
Marca: SAMSUNG
Factor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare500 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3SSD ControllerSamsung PhoenixTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyMulti-Level CellCuloare externăNegruMaximum Random Read Rate19000 IOPSMaximum
Referinta: MZ-V7P1T0BW A
Marca: SAMSUNG
Factor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4SSD ControllerSamsung PhoenixTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyMulti-Level CellCuloare la exteriorBlackMaximum Random Read Rate500000 IOPSM
Referinta: MZ-V7P512BW A
Marca: SAMSUNG
Factor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4SSD ControllerSamsung PhoenixTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyMulti-Level CellCuloare la exteriorBlackMaximum Random Read Rate370000 IOP
Referinta: MZ-V7S1T0BW A
Marca: SAMSUNG
Factor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3SSD ControllerSamsung PhoenixTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyMulti-Level CellCuloare externăNegruMaximum Random Read Rate19000 IOPSMaximum R
Referinta: MZ-V7S2T0BW A
Marca: SAMSUNG
Locatie dispozitivInternFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3SSD ControllerSamsung PhoenixTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyMulti-Level CellCuloare externăNegruMaximum Random Read
Referinta: MZ-76E4T0B/EU A
Marca: SAMSUNG
Referinta: MZ-76P256B/EU A
Marca: SAMSUNG
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache512 MBSSD ControllerSamsung MJXFlash Memory
Referinta: MZ-76E500B/EU A
Marca: SAMSUNG
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare500 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache512 MBSSD ControllerSamsung MJXFlash Memory
Referinta: MZ-76E250B/EU A
Marca: SAMSUNG
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare250 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache512 MBSSD ControllerSamsung MJXFlash Memory
Referinta: MZ-76P1T0B/EU A
Marca: SAMSUNG
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache512 MBSSD ControllerSamsung MJXFlash Memory Ce
Referinta: MZ-76P512B/EU A
Marca: SAMSUNG
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache512 MBSSD ControllerSamsung MJXFlash Memory