Blue banner
Tranzacțiile electronice sunt 100% sigure. Folosim protocolul HTTPS
Livrăm la cerere prin orice curier rapid sau de la sediu
Verificarea coletului la primire
| Locatie dispozitiv | Plug-in Module |
| Factor forma | M.2 22x80mm |
| Capacitate de stocare | 1 TB |
| Suporta canal de date | PCIe NVMe 4.0 x4 |
| Tehnologia pentru memorie | 3D NAND |
| Flash Memory Cell Technology | Multi-Level Cell |
| Accesorii incluse | Scurt Ghid de utilizare |
| Maximum Random Read Rate | 1200000 IOPS |
| Maximum Random Write Rate | 1550000 IOPS |
| Maximum Sequential Read Rate | 7450 MB/s |
| Maximum Sequential Write Rate | 6900 MB/s |
| Total Bytes Written (TBW) | 600 TB |
| Timpul presupus intre caderi | 15000000 h |
| Solid State Drive Features | TRIM Support AES 256-bit Encryption Advanced Garbage Collection |
| Standard | S.M.A.R.T. |
| Toleranta la soc in mod operare | 1500G @ 0.5ms |
| Nominal Supply Voltage | 3.3 V |
| Consum maxim de energie | 7.8 W |
| Temperatura ambientală maximă de funcționare | 70 °C |
| Temperatura ambientală minimă de funcționare | 0 °C |
| Latime (mm) | 22 mm |
| Inaltime (mm) | 2.3 mm |
| Adancime (mm) | 80 mm |
| Greutate nominala | 9 g |
| Produse returnabile aflate in garantie | Da |
| Termen garantie (luna) | 60 luna(i) |
| Criterii de validare a garantiei | Număr de serie |
| Greutatea bruta a pachetului | 0.1 kg |
| Greutatea neta a pachetului | 0.05 kg |
| Bucati in pachet | 1 |
| Greutatea bruta a cutiei | 0.1 kg |
| Retail Packaging Net Weight Carton | 0.05 kg |
| Retail Packaging Net Weight Plastic | 0.05 kg |
| Pachete (colete) in cutie | 1 |
| Tip pachet | Retail |
| EAN Code | 8806094215021 |
No customer reviews for the moment.
Reference: SSDPEKKW128G801 A
Brand: INTEL
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare128 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.1 x4Flash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate105000 IOPSMaximum Random Write Rate160000 IOPSMaximum Sequenti
Reference: LNM790X001T-RN9NG
Brand: LEXAR
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologySingle-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum S
Reference: SA2000M8/250G A
Brand: KINGSTON
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare250 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate150000 IOPSMaximum Random Write Rate180000 IOPSMaximum Sequential Read Ra
Reference: CT4000MX500SSD1 A
Brand: CRUCIAL
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formă2.5" 7mmCapacitate de stocare4 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellCuloare exter
Reference: P210S512G25
Brand: PATRIOT
SSD Patriot Spark, 512GB, 2.5", SATA3, rata transfer r/w: 520/430 mb/s
Reference: WDS250G1B0E A
Brand: Western Digital
Locatie dispozitivPlug-in ModuleFactor formaM.2 (2280)Capacitate de stocare250 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashAccesorii incluseDocumentațieCuloare externăNegruMaximum Sequential Read Rate3200 MB/sMaximum Sequenti
Reference: WDS120G2G0A A
Brand: Western Digital
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare120 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariFCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCIFlash Memory Cell TechnologyMulti-Level CellMaximum S
Reference: MZ-76E500B/EU A
Brand: SAMSUNG
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare500 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache512 MBSSD ControllerSamsung MJXFlash Memory
Reference: TS256GSSD230S
Brand: TRANSCEND
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate65000 IOPSMaximum Random Wri
Reference: MZ-76E1T0B/EU A
Brand: SAMSUNG
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache1 GBSSD ControllerSamsung MJXFlash Memory Cell
