SSD CORSAIR MP600 MINI Capacitate 1TB M.2 2280 NVME PCIE GEN4 x4
Viteza de scriere: pana la 4800MB/s Viteza de citire: pana la 4800MB/s
Temperatura de functionare: 0-65°C Temperatura de stocare: -40-85°C
Voltaj: 3.3V +/-5%
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache1 GBSSD ControllerSamsung MJXFlash Memory Cell
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formă2.5" 7mmCapacitate de stocare1.92 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaxi
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate65000 IOPSMaximum Random Wri
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Sequential Read Rate5000 MB/sMaximum Sequential Write Rate4500 MB/sSolid State Drive F
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare250 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariFCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCIFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare960 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incl
Locatie dispozitivInternFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare128 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate51000 IOPSMaximum Random Write Rate38000