Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare480 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariFCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCIFlash Memory Cell TechnologyMulti-Level CellMaximum S
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare240 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariFCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCIFlash Memory Cell TechnologyMulti-Level CellMaximum S
Locatie dispozitivInternFactor formaM.2Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashAccesorii incluseDocumentațieMaximum Random Read Rate1000000 IOPSMaximum Random Write Rate720000 IOPSMaximum Sequential
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare250 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariFCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCIFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare500 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareCuloare externăNeg
Locatie dispozitivInternFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare128 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate51000 IOPSMaximum Random Write Rate38000
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare128 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate70000 IOPSMaximum Rando
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5"Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare250 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache512 MBSSD ControllerSamsung MJXFlash Memory
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 5.0 x 4Tehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Seq