Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Rata de transfer extern a datelor sustinuta32 GT/secTehnologia pentru memorieBiCS FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaxi
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formă2.5" 7mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache1 GBSSD ControllerSamsung MKXTehnologia pe
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare4 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsSSD ControllerSamsung MKXTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyMulti-Level
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsSSD ControllerSamsung MKXTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyMulti-Level
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formă2.5" 7mmCapacitate de stocare500 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache512 MBSSD ControllerSamsung MKXTehnologi
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5"Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCapacitate de stocare instalata a memoriei cache512 MBSSD ControllerSamsung MKXTehnologia pentru memori
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formă2.5"Capacitate de stocare4 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsSSD ControllerSamsung MKXTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyMulti-