Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen5Tehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellCuloare externăNegruMaximum Random Read Rate1490000 I
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen5Tehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellCuloare externăNegruMaximum Random Read Rate1300000 I
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareCuloare ex
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x30mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4CertificariRoHSTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate480000 IOPSMaximum
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x30mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4CertificariRoHSTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate800000 IOPSMaximum
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen5Tehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellCuloare externăNegruMaximum Random Read Rate1490000 I
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen5Tehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellCuloare externăNegruMaximum Random Read Rate1300000 I
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareCuloare ex
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x30mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4CertificariRoHSTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate480000 IOPSMaximum
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formăM.2 22x30mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4CertificariRoHSTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate800000 IOPSMaximum