Blue banner
Banner
Tranzacțiile electronice sunt 100% sigure. Folosim protocolul HTTPS
Livrăm la cerere prin orice curier rapid sau de la sediu
Verificarea coletului la primire
| Locatie dispozitiv | Plug-in Module |
| Factor forma | M.2 (2280) |
| Capacitate de stocare | 512 GB |
| Suporta canal de date | PCIe NVMe 4.0 x4 |
| Tehnologia pentru memorie | NAND Flash |
| Flash Memory Cell Technology | Triple-Level Cell |
| Accesorii incluse | Scurt Ghid de utilizare |
| Culoare externă | Negru |
| Maximum Random Read Rate | 360000 IOPS |
| Maximum Random Write Rate | 700000 IOPS |
| Maximum Sequential Read Rate | 6600 MB/s |
| Maximum Sequential Write Rate | 3600 MB/s |
| Total Bytes Written (TBW) | 300 TB |
| Timpul presupus intre caderi | 2000000 h |
| Solid State Drive Features | S.M.A.R.T. Self Encrypting Drive AES 256-bit Encryption Dynamic Write Acceleration Power-loss Protection (data at rest) Host-controlled Thermal Management RAIN TCG Opal 2.0 |
| Consum maxim de energie | 5.5 W |
| Produse returnabile aflate in garantie | Da |
| Termen garantie (luna) | 36 luna(i) |
| Criterii de validare a garantiei | Număr de serie |
| Greutatea bruta a pachetului | 0.01 kg |
| Bucati in pachet | 1 |
| Greutatea bruta a cutiei | 0.01 kg |
| Pachete (colete) in cutie | 1 |
| Tip pachet | Retail |
Aktuell keine Kunden-Kommentare
Referinta: ZA2000GM1A001 A
Marca: Seagate
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariRoHSTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level Cel
Referinta: SA2000M8/250G A
Marca: KINGSTON
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare250 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashMaximum Random Read Rate150000 IOPSMaximum Random Write Rate180000 IOPSMaximum Sequential Read Ra
Referinta: CSSD-F1000GBMP600CXT
Marca: CORSAIR
Storage Temperature -40°C to +85°C Endurance 250TBW Memory Type PCIe Gen 4.0 x4 SSD Max Sequential Read CDM Up to 5,000MB/s SSD Max Sequential Write CDM Up to 3,500MB/s Power Consumption Active 4.1W Average SSD Smart Support Yes NAND Technology 3D
Referinta: WDS500G3B0C A
Marca: Western Digital
Locatie dispozitivPlug-in ModuleFactor formaM.2 (2280)Capacitate de stocare500 GBSuporta canal de datePCI Express 3.0 x4Rata de transfer extern a datelor sustinuta8 GbpsCertificariBSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCITehn
Referinta: TS1TMTE250S
Marca: TRANSCEND
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4CertificariCE/UKCA/FCC/BSMI/KC/RCMTehnologia pentru memorie3D NANDSSD Cooling MethodHeatsinkCuloare externăNegruMaximum Random Rea
Referinta: CT500BX500SSD1
Marca: CRUCIAL
Locația dispozitivuluiInternFactorul de formă2.5" 7mmCapacitate de stocare500 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsSSD ControllerSilicon Motion SM2258XTTehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell T
Referinta: MZ-V9P1T0BW A
Marca: SAMSUNG
Locatie dispozitivPlug-in ModuleFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 4.0 x4Tehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyMulti-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Ra
Referinta: CT4000T700SSD5 A
Marca: CRUCIAL
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare4 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 5.0 x 4Tehnologia pentru memorie3D NANDFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Seq
Referinta: SSDPR-PX500-256-80
Marca: GOODRAM
SSD Goodram, PX500, 256GB, M2 2280, PCIe NVMe gen 3 x4 (M key), R/W speed: up to 1850MB/s/950MB/s
Referinta: MZ-77Q4T0BW A
Marca: SAMSUNG
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare4 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsSSD ControllerSamsung MKXTehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyMulti-Level
