Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate75000 IOPSMaximum Rando
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare128 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate70000 IOPSMaximum Rando
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCI Express 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate160000 IOPSMaximum Random Write Ra
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 22x80mmCapacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read R
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de forma2.5"Capacitate de stocare1.02 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate75000 IOPSMaximum Rand
SSD CORSAIR MP700 Capacitate 2TB M.2 2280 NVME PCIE GEN5 x4
Viteza de scriere: pana la 10000MB/s Viteza de citire: pana la 1000MB/s
Temperatura de functionare: 0-70°C Temperatura de stocare: -40-85°C
Voltaj: 3.3V +/-5%
SSD CORSAIR MP700 Capacitate 1TB M.2 2280 NVME PCIE GEN4 x4
Viteza de scriere: pana la 8500MB/s Viteza de citire: pana la 9500MB/s
Temperatura de functionare: 0-70°C Temperatura de stocare: -40-85°C
Voltaj: 3.3V +/-5%
SSD CORSAIR FORCE SERIES MP510 Capacitate 960GB M.2 2280 NVME PCIE GEN3 x4
Viteza de scriere: pana la 3000MB/s Viteza de citire: pana la 3480MB/s
Temperatura de functionare: 0-65°C Temperatura de stocare: -40-85°C
Voltaj: 3.3V +/-5%
USB Flash Drive Corsair Flash Voyager® GTX USB 3.1 128GB Premium Flash Drive Operating Temperature 0°C to 70°C Shock 40G Interface USB 3.1 Unformatted Capacity 128 GB Max Sequential Read ATTO Up to 460MB/s Max Sequential Write ATTO Up to 460MB/s Max Seq